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额定电压(V)
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电路结构
Single
Half Bridge
Chopper
Full Bridge
Asymmetrical Bridge
3 phase Bridge
Tri-Pack
PIM
3-level
12-Pack
single
half bridge
common cathode
common anode
SG=Single
SD= Single Without Diode
CU=Chopper Diode Up Side
CL= Chopper Diode Low Side
HF=Half Bridge
CE=Common Emitter
HT=Tri-Pack
HH=H Bridge
HC=Internal Connected H Bridge
ML=3 Level，Diode Clampling，NPC1
MP=Upper Half of NPC1 3 Level
MN=Lower Half of NPC1 3 Level
TL=3 Level , IGBT Active Clampling，NPC2
TU=NPC1 Boost
FF=3 Phase Bridge
FS=3 Phase Open Emitter Output
PI=3 Phase Rectifier + Brake + 3 Phase Output
PJ=3 Phase Rectifier + Brake + 3 Phase Open Emitter Output
PF=3 Phase Rectifier + H Bridge Output
TP=Twelve Pack
DG=Double Single
HF=Half Bridge
HC=Internal Connected H Bridgr
CC=Common Cathode
PB=3 Phase Bridge+Brake
FP=3 Phase Bridge+Thyristor
G=IGBT+FWD
额定电流(A)
10A
15A
20A
25A
30A
35A
37A
40A
50A
51A
60A
70A
75A
80A
90A
99A
100A
110A
104A
139A
150A
160A
163A
165A
180A
200A
208A
210A
225A
278A
300A
317A
372A
400A
450A
570A
600A
630A
680A
650A
800A
900A
1000A
1200A
1400A
1500A
1600A
2052A
2160A
2400A
3600A
2x30A
2x40A
2x60A
2x100A
2x150A
2x200A
2x300A
2x400A
2x500A
芯片系列
L Low Loss and Fast IGBT
K Standard IGBT
T Trench IGBT Medium Power
U Ultra Fast IGBT
Y Trench IGBT Low Power
X Trench IGBT Ultra Fast
M Trench MOSFET
N Planer MOSFE
焊接型
键合型
H系列
X系列（快速）
L（标准）
K=NPT Low Loss
U=NPT Ultra Fast IGBT
L=SPT + Low Loss and Fast IGBT
X=Trench FS IGBT, Low Loss
Y=Advanced Trench FS IGBT, Low Loss
F=Advanced Trench FS Ultra Fast IGBT Without Short-cricuit Capacity
Q=Advanced Trench FS Fast IGBT
N=NPT Low Loss
S
H
R
C=SiC MOSFET
额定电压: V
额定电流: A
电路结构:
芯片系列:
产品编号:
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