IGBT顶尖高手魔都论剑 芯片工艺仍是关键

发布日期：2015-11-04 | 公司新闻

      11月3日，在备受瞩目的“上海工博会”隆重开幕之际，“中国IGBT技术创新与产业联盟第一届学术论坛”也在魔都顺利举办，工信部及集成电路产业大基金领导，业内顶级专家及联盟理事单位的技术人员共200多位代表共襄盛举。本次论坛邀请了10位国内外技术专家，从IGBT材料、芯片、封测、应用等技术研究角度进行专题报告，充分展示联盟IGBT技术成果，分析市场需求，推动产业可持续发展。

工信部电子信息司集成电路处龙寒冰副处长代表政府主管部门对论坛召开表示祝贺，他认为，五中全会强调提高经济发展的质量效益和创新驱动，目前我国也面临节能减排以及“保增长，稳增长”的压力，同时，“中国制造2025”将是今后一段时间的重要战略目标，在以上各个方面，都越来越依赖于新型电力电子器件技术和产业的发展，尤其是IGBT的发展目前面临历史最好机遇，联盟必将发挥更大作用。

原工信部电子信息司司长、联盟名誉理事长、国家集成电路产业投资基金股份有限公司总经理丁文武也在讲话中提出：面对当前向好形势，IGBT产业亟需“上规模、上水平”，完善产业链，同时要用好国家的政策，而联盟作为平台，要传递业界声音，发挥更大才智。

当然，作为国内IGBT业界顶尖水平的学术论坛，主角肯定是10位技术专家，国内主流IGBT厂家及典型用户厂家均派出了自家的“技术掌门人”，演讲内容涵盖了IGBT材料、芯片、封测以及应用。尤其是国网智能电网研究院总经理汤广福博士和中国一汽技术中心电机开发室主任赵慧超代表用户单位做专题报告后，给与会IGBT厂商极大的信心鼓舞。

嘉兴斯达半导体股份有限公司总经理沈华博士也发表了题为“高可靠性IGBT在新能源领域中的应用”的报告，特别强调了高可靠性的重要性，并简要介绍了斯达针对太阳能、风能以及电动车领域的特殊需求而开发的系列产品特点。尤其是沈博士提出我国IGBT技术及产业发展的关键是芯片铜工艺技术时，与会领导和专家均表示认同，沈博士认为，“IGBT芯片铜工艺是决定我国是否能在今后5-10年内赶上国际最先进IGBT技术的关键”，并表示愿与国内同行共同努力，提升IGBT产品的可靠性，满足越来越多的高端需求以及对产品的严苛要求。

联盟秘书长肖向锋先生在总结发言中对本次论坛给予了很高评价：“信息量巨大，内容丰富，演讲精彩”。肖秘书长认为，目前我国IGBT产业的两种发展模式（IDM模式和虚拟IDM模式）均有各自优势，联盟将搭好平台，为整合全产业链发挥更大作用。并表示，中国IGBT技术创新与产业联盟自成立以来，不断推进自身建设，联盟宣传平台、会员发展与交流等工作稳步推进，国家、部委政策信息上传下达，联盟知名度和影响力不断提升。 相信在各成员的共同努力下，联盟会为我国电力电子技术及产业可持续发展做出更大贡献。