电力电子被纳入《中国制造2025》发展重点

发布日期：2015-11-09 | 行业动态

作为与“德国工业4.0”的对标，《中国制造2025》对我国制造业转型升级和跨越发展作了整体部署，提出了我国制造业由大变强“三步走”战略目标，明确了建设制造强国的战略任务和重点，是我国实施制造强国战略的第一个十年行动纲领。

为了确保用十年的时间，到2025年，迈入制造强国行列，必须坚持整体推进、重点突破。《中国制造2025》围绕经济社会发展和国家安全重大需求，选择10大优势和战略产业作为突破点，力争到2025年达到国际领先地位或国际先进水平。十大重点领域是：新一代信息技术产业、高档数控机床和机器人、航空航天装备、海洋工程装备及高技术船舶、先进轨道交通装备、节能与新能源汽车、电力装备、农业装备、新材料、生物医药及高性能医疗器械。

为指明十大重点领域的发展趋势、发展重点，引导企业的创新活动，国家制造强国建设战略咨询委员会特组织编制了这些领域的技术路线图，汇总成册，称为“《中国制造2025》重点领域技术路线图”。

电力电子作为现代能源变换的核心部件和关键技术，在传统产业转型升级、节能与新能源、国防安全以及国计民生各个方面均发挥着不可替代的作用。因此在《中国制造2025》中，电力电子也被正式作为发展重点。在最近发布的“《中国制造2025》重点领域技术路线图”中，电力电子的内容主要体现在以下章节：

五、先进轨道交通装备

5.1先进轨道交通装备

5.1.3发展重点

2.关键零部件

（1）功率半导体器件。重点突破硅基IGBT、MOSFET等先进的功率半导体器件芯片的技术瓶颈，推进国产硅基器件的应用和产业发展；推进碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等下一代功率半导体器件的研发和产业化。

（2）动力型超级电容器件。研制12000F、3.0V、10Wh/kg、100万次充放的大功率、高能量、长寿命、高安全、免维护超级电容单元器件，推进城市公共交通储能式电力牵引技术产业化。

3. 关键共性技术

（3）电传动系统技术。完成碳化硅电力电子器件的研发与应用，推进馈能式双向变流技术的应用；推广永磁电机驱动技术与无齿轮直驱技术。

（4）储能与节能技术。加快大能量密度的超级电容的研制，利用超级电容优异的充放电性能，实现有轨电车、无轨电车全线无供电网运营和能量可循环利用运营。

九、 新材料

9.2 关键战略材料

9.2.3 发展重点

8.先进半导体材料

（1）第三代半导体单晶衬底

6-8英寸SiC、4-6英寸GaN、2-3英寸AlN单晶衬底制备技术；可生产大尺寸、高质量第三代半导体单晶衬底的国产化装备。

（2）第三代半导体光电子器件、模块及应用

200 lm/W以上光效的LED外延和芯片制备技术；50mW以上AlGaN基紫外LED。

（3）第三代半导体电力电子器件、模块及应用

15kV以上SiC电力电子器件制备关键技术；高质量、低成本GaN电力电子器件的设计与制备；在高压电网、高速轨道交通、消费类电子产品、新能源汽车、新一代通用电源等领域的应用。

我们欣喜地看到，电力电子在事关国家战略的纲领性文件中被明确作为发展重点，这与近些年来业界专家积极建言献策以及电力电子产业取得长足发展密不可分。但同时，我们也应该清醒地认识到：相较于集成电路，电力电子在文件中份量仍很轻。在“一、新一代信息技术产业”一章中， “1.1集成电路及专用设备”是作为专门的一节重点阐述的，而电力电子的内容却分散于几个章节，没有给予系统支持。

在11月6日于重庆召开的“中国电器工业协会电力电子分会2015 年年会暨七届二次理事会议”上，分会常务副理事长、中国IGBT技术创新与产业联盟秘书长、中国宽禁带功率半导体产业联盟秘书长肖向锋先生表示：“电力电子的内容分散于文件的好几个章节，看似哪儿都需要电力电子，但实际上没有像集成电路那样得到系统支持，这不利于形成合力。同时，支持的重点在轨道交通领域用的IGBT、MOSFET等电力电子器件，只是整个产业非常小的一部分，不到5%。”

不过，肖秘书长也认为，电力电子被纳入《中国制造2025》发展重点是很好的机遇，况且在重点发展的十大领域中大多数也需要电力电子，因此，业界同仁应抓住机遇，坚持“以人为本、创新驱动、结构优化、转型升级、以质取胜、绿色发展”的思路，共同将电力电子产业做大做强，为实现“中国制造2025”的战略目标贡献自己的一份力量。

嘉兴斯达半导体股份有限公司首席执行官沈华博士也认为，国家政策支持对于电力电子产业发展非常重要，但同时“打铁还需自身硬”，电力电子企业要练好内功，才能适应市场的发展。斯达半导体将继续加大研发投入在国家重点支持的技术领域实现突破，同时更为重要的是将已有产品做到极致，满足客户更高需求，为客户创造更大价值。比如，要将用于电动车的600V IGBT模块做好，并不比做4500V轨道交通用IGBT容易。因为电压虽不大，但芯片非常薄，工艺要求实际上非常高。